Тип SSD M.2 накопитель Модель Samsung 860 EVO Объем накопителя 1000 ГБ Форм-фактор 2280 Физический интерфейс SATA 3 Ключ M.2 разъема B & M NVMe нет Тип чипов памяти NAND Количество бит на ячейку 3 бит MLC (TLC) Структура памяти 3D NAND DRAM буфер есть Объем DRAM буфера 1024 МБ Максимальная скорость последовательной записи 520 Мбайт/сек Максимальная скорость последовательного чтения 550 Мбайт/сек Запись случайных блоков 4 Кбайт (QD32) 88000 IOPS Чтение случайных блоков 4 Кбайт (QD32) 97000 IOPS Запись случайных блоков 4 Кбайт (QD1) 42000 IOPS Чтение случайных блоков 4 Кбайт (QD1) 10000 IOPS Пропускная способность интерфейса 6 Гбит/с Максимальный ресурс записи (TBW) 600 ТБ DWPD 0.33 Максимальная перегрузка (ударостойкость) 1500 G (0.5 мс) Аппаратное шифрование данных есть Энергопотребление 2.4 Вт Длина 80 мм Ширина 22 мм Толщина 2.38 мм Вес 8 г
Нажимая на кнопку, вы даете согласие на обработку персональных данных и соглашаетесь c политикой конфиденциальности